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挑选婚纱照相框必须了解的小知识

2021-04-02 06:26:57
浏览: 134次 来源:【jake】 作者:-=Jake=-
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单晶硅的生产原理与过程化学与材料科学应用化学专业学生编号:06140107姓名:李国雄摘要简要介绍了晶体硅的性质,用途,产业发展及应用现状,并作了比较详细的比较。多晶硅和单晶硅的生产过程。通过对不同应用中不同工艺的分析比较,得出在相应领域获得了更好的工艺,特别是对太阳能级晶体硅的生产工艺进行了深入的分析:目前最简单,最实用的方法是西门子的改进方法,将原来的开式改为闭环式,既节约能源,又减少了污染。电感耦合等离子体化学气相沉积法具有最大的发展潜力。关键词:多晶硅,单晶硅,发展现状,原理,工艺,晶体硅的特性1. 1多晶硅,多晶硅的特性,CAS登记号7440-21-3,具有灰色金属光泽,密度2. 32 〜2. 34,熔点1410,沸点2355。溶于氢氟酸和硝酸的混合酸,不溶于水,硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,在室温下易碎,切割时容易断裂。在800℃以上加热时具有延展性,在1300℃时表现出明显的变形。在室温下不活泼,在高温下会与氧气,氮气,硫磺等发生反应。在高温熔融状态下,它具有更大的化学活性,并且可以与几乎所有材料相互作用。它具有半导体特性,是极其重要且极好的半导体材料,但是少量杂质会极大地影响其导电性。通常是通过在一定条件下对干燥的硅粉和干燥的氯化氢气体进行氯化,然后进行冷凝,精馏和还原来获得的。

多晶硅是元素硅的一种形式。当熔融的元素硅在过冷条件下固化时,硅原子以菱形晶格的形式排列成许多晶核。如果这些晶核长成具有不同晶面取向的晶粒,则这些晶粒结合以结晶成多晶硅。多晶硅可用作拉制单晶硅的原料。多晶硅和单晶硅之间的差异主要表现在物理性质上。例如,就机械性能,光学性能和热性能而言,各向异性远不如单晶硅明显。就电性能而言,多晶硅晶体的电导率远不如单晶硅显着,甚至几乎没有电导率。就化学活性而言,两者之间的差异非常小。可以从外观上区分多晶硅和单晶硅,但真正的识别必须通过分析和确定晶面取向,导电类型和电阻率来实现。 1. 2单晶硅的特性单晶硅(Monocrystalsilicon)是硅的单晶,也称为硅单晶。当熔融的元素硅凝固时,硅原子以菱形晶格排列成许多晶核。如果这些晶核生长成具有相同晶面取向的晶粒,则这些晶粒将平行结合以结晶成单晶硅。单晶硅是电子信息材料中最基本的材料,也是良好的半导体材料。单晶硅具有基本完整的晶格结构晶体,并且在不同方向上具有不同的特性。它是一种良好的半导体材料。通常,纯度必须达到9 9. 9999%或什至大于9 9. 9999999%,用于制造半导体器件,太阳能电池等。

通常在单晶炉中并使用结晶硅提取高纯度多晶硅。晶体硅主要用于制造半导体组件,并且是制造半导体硅器件的原材料。它用于制造大功率整流器,大功率晶体管和二极管。 ,开关设备等。高纯度晶体硅是电子行业和太阳能光伏行业的基本原材料。在未来的50年中,其他材料不可能替代硅材料并成为电子和光伏行业的主要原材料。晶体硅的工业发展是最近的3. 1国际晶体硅产业的现状目前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最重要的光伏材料,占市场的90%以上,并在未来很长一段时间内仍将是太阳能电池的主流材料。长期以来,多晶硅材料的生产技术一直掌握在美国,日本和德国的公司的10家工厂中,形成了技术封锁和市场垄断。多晶硅的需求主要来自半导体和太阳能电池。根据纯度要求的不同,分为电子级和太阳能级。其中,电子级多晶硅约占55%,太阳能级多晶硅约占45%。随着光伏产业的快速发展,太阳能电池对多晶硅的需求增长快于半导体多晶硅的发展。 2008年对太阳能多晶硅的需求量超过了电子级多晶硅的需求量。 1994年,全球太阳能电池的总产量仅为69MW,而2004年接近1200MW,在短短10年中增长了17倍。

专家预测,在21世纪上半叶,太阳能光伏产业将超越核能,成为最重要的基础能源之一。据报道,美国能源部计划到2010年累计装机容量为4600MW,日本计划到2010年达到5000MW,欧盟计划达到6900MW。据估计爱游戏app下载 ,2010年全球累计装机容量将至少为18,000MW。根据上述推测和分析,到2010年,太阳能电池中使用的多晶硅将至少达到30,000或更多。根据国外数据分析报告,2005年全球多晶硅产量为28,750吨,其中半导体等级为20,250吨,太阳能等级为8,500吨,半导体等级需求约为19,000吨,略有过剩;太阳能等级需求为15,000吨,需求超过供应。自2006年以来,太阳能级和半导体级多晶硅需求均出现缺口,太阳能级产能缺口更大。根据2005年11月24日日本稀有金属杂质的报告,全球对半导体和太阳能多晶硅的需求趋紧,这主要归功于以欧洲为中心的太阳能市场的迅速扩张。预计2006年和2007年多晶硅供应的不平衡将加剧。在多晶硅价格方面,半导体等级和太阳能等级之间的原始差异将逐渐减小甚至消除。 2005年,世界太阳能电池产量约为1GW。如果1兆瓦使用12吨多晶硅,则2005年对多晶硅的总需求为1. 20,000吨。2010年,全球太阳能电池的年均增长率为25%。到2010年,全球太阳能电池用多晶硅的半导体年总需求量将超过6. 30,000吨。

世界上主要的多晶硅生产公司包括日本的Tokuyama,三菱,住友,Hemlock,Asimi,SGS,美国的MEMC和德国的Wacker。他们的大多数年生产能力超过1000吨。其中,德山和铁杉是瓦克和瓦克这三个公司的最大生产规模,年生产能力为3000-5000。国际多晶硅的主要技术特征有以下两点:(1)多种生产工艺路线并存,工业化技术的封锁和垄断不会改变。因此,多晶硅生产厂使用的主要和辅助材料没有相同,因此生产工艺技术也不同;相应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产品测试方法新疆时时彩 ,工艺安全性等也各不相同,各有技术特点和技术秘密。 ,世界上主要的传统多晶硅生产工艺有:改良的西门子法,硅烷法和流化床法,其中,改良的西门子法生产的多晶硅产能约占世界总产能的80%。内部产业化技术垄断现状与封锁不会改变。 (2)新一代低成本多晶硅工艺技术的研究空前活跃。除传统技术(电子级和太阳能级兼容性)和技术升级外,还出现了几种专门技术。用于生产的新工艺技术太阳能级多晶硅主要包括:改进的西门子方法的低成本工艺;从金属硅中提取高纯度硅的冶金方法;高纯度SiO液相沉积);以及还原或热分解过程;无氯工艺技术,铝-从硅溶液中低温制备太阳能级硅;熔融盐电解法3. 2国内晶体硅产业的现状中国的多晶硅产业始于1950年代,并于1960年代中期实现了工业化。到1970年代,制造商的数量已增长到20多家。

但是,由于落后的工艺技术,严重的环境污染,高消耗和高成本,大多数公司遭受了损失,已经停产或转投生产。在过去两年中,具有多晶硅生产条件的国内公司包括洛阳中硅高科技有限公司,峨眉半导体材料厂(研究所),四川新光硅科技有限公司和江西赛威赛维LDK Solar High-。中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求正在迅速增长。 2005年,集成电路行业需要约1000吨电子级多晶硅,而太阳能电池则需要约1400吨多晶硅。到2010年,中国对电子级多晶硅的年需求量将达到2,000吨左右。年级多晶硅的需求量将达到约4,200吨。但是,中国的多晶硅独立供应存在严重缺口。超过95%的多晶硅材料需要进口。供应受到长期限制。加上价格飞涨,它危害了许多下游多晶硅公司的发展,并已成为制约中国信息产业和光伏产业的障碍。工业发展的瓶颈问题。在2005年之前,美国,日本,德国和其他国家拥有多晶硅生产技术和工艺,并对我国施加了技术封锁。多晶硅价格暴涨,危及我国多晶硅下游产业的正常运行,成为制约我国信息产业和光伏产业发展的瓶颈。直到保定天威英利新能源有限公司生产出我国首个太阳能级多晶硅锭(这是我国首个量最大,技术含量最高的多晶硅锭,填补了我国无能为力的空白)可以商业化生产多晶硅太阳能电池。

此多晶硅锭的体积为690mm690mm220mm,重量为240 kg);河南洛阳中硅高科技公司300吨多晶硅项目的第一炉直径130毫米,长度2米,重量1. 3吨。中国硅高科技公司的成功启动表明该项目的建设已达到相关的设计要求,因此该公司已成为我国最大的多晶硅制造商。首批产品的成功发布也标志着国外对中国多晶硅生产技术的封锁的打破。江西赛维LDK太阳能高科技有限公司目前是亚洲最大的太阳能多晶硅制造商。工厂位于江西省新余市经济开发区。它是一家高科技光伏企业,专注于太阳能多晶硅锭和多晶硅晶片的研发,生产和销售。它拥有世界上最先进的生产技术和设备。公司注册资金为1195万美元。最近几个月总投资已投入生产。每月生产能力达到100兆瓦。在八月,它被选为“红鲱鱼亚洲百强企业”之一。十月份的生产能力达到了200兆瓦。 “。荣获“ 2006年中国新材料行业最具成长性企业”称号。目前,公司致力于发展成为“世界级光伏企业”。公司1. 5万吨硅材料项目该项目已于近日在江西省新余市正式启动,该项目固定资产总投资超过120亿元,有望成为全球太阳能领域最大的单一投资和最大的容量设计项目。

2006年,国内硅单晶总产量为373 9. 7吨,销售总额约为11 7. 8亿元,其中半导体级硅单晶的产量约为55。 1. 4吨,太阳能级硅单晶的产量约为55 1. 4吨。晶体约为318 8. 3吨,太阳能级硅单晶占总产量的85%。 2006年,中国单晶硅棒的出口量为117 7. 40吨,出口金额为1480 5. 6500万美元。出口值比2005年增长8. 1%;单晶硅片的出口量为40 8. 043,出口值为2035 6. 690,000美元,出口额比2005年增长了7 4. 38%,总出口额约为3.。 5美元。到2007年,全国单晶硅产能超过3000吨,其中大部分用于出口。在中国,Czochralski与区域熔化的硅单晶之比在70:30-80:20的范围内。这表明,中国的分立器件仍然占很大比例,而区域熔化的硅单晶仅占全球硅晶体材料总数的6%-8%。 2007年,中国市场上有1,500多种不同类型的硅单晶生长设备,分布在70多家生产公司中。 2007年24月24日,国家“ 863”计划超大规模集成电路(IC)配套材料重大专项项目组在北京组织专家进行了“ TDR-150型单晶炉(12英寸)”的研制工作。由西安工业大学和北京有色金属研究所共同完成的“ MCZ集成系统”的竣工验收。这标志着第一个成功开发具有自主知识产权的大型集成电路和太阳能硅单晶生长设备在我的国家。

硅材料市场前景广阔。近年来澳洲幸运8 ,中国硅单晶的产销收入增长迅速。中小尺寸硅晶片的生产已成为国际公认的事实,已经使世界与中国的集成电路和半导体分离。器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了巨大贡献。晶体硅的生产原理和工艺4. 1晶体硅的生产原理4. 1. 1多晶硅的生产原理多晶硅锭和粒状多晶硅的生产方法大致可分为化学法以及根据生产过程中硅的价数是否发生变化的物理方法。化学方法包括西门子法,锌还原法,硅烷法和流化床法。物理方法包括冶金法和重掺杂硅废料净化法[4-10]。多晶硅膜的生产方法主要分为准分子激光结晶法(ELA),金属诱导结晶串联法(MIC),化学气相沉积法(CVD)。 )。西门子系列方法以金属硅为原料,加入浓盐酸,硝酸和氢氟酸进行氧化,生成三氯化硅,加热并蒸发鸭脖娱乐官网 ,然后分馏除去气体中的杂质,得到纯硅氢。三氯化物。用氢气还原可得到纯多晶硅。区别在于西门子方法是完全开放的,生产过程中产生的有害物质(例如四氯化硅)被直接排放,生产过程中的能量没有得到充分回收;而西门子的闭环方法是完全回收的,并且不会排放有害物质。节省材料,节省能源。中国第三代闭环技术仍处于试验阶段。锌还原法的显着不同之处在于,将锌用作还原剂[11],纯化所得的硅烷气体,然后在热分解炉中生产,以生产更高纯度的棒状多晶硅。

使用此方法的公司包括小松,Asimi和SGS。流化床法以四氯化硅,氢气,氯化氢和工业硅为原料,在流化床中在高温高压下生成三氯硅烷,然后进一步歧化加氢生成二氯二氢硅烷,再生成硅烷气体。将制备的硅烷气体送入装有小硅颗粒的流化床反应器中,以进行连续的分解反应,以生产粒状多晶硅产品。该方法生产效率高,功耗低,成本低,但安全性差,产品纯度低。采用此方法的公司是MEMC。通过冶金法直接冶炼金属硅,通过高温冶炼和定向凝固除去杂质,得到6N以上的金属硅。该方法于1975年在瓦克的实验室中完成,但极限仅为7N。后来,为了克服物理方法的某些缺点,派生了CP方法之类的方法,但是在光转换率和稳定性方面仍有待改进的地方。准分子激光结晶方法(ELA)是将高功率激光束施加到要结晶的非晶硅膜的表面。由于硅具有极强的紫外线吸收能力,因此可以在很短的时间内(约50-100ns)使用。 -Si膜的表面瞬间达到1000℃以上的高温,成为熔融状态。停止激光脉冲后,将熔融的非晶硅冷却并结晶为多晶硅。日本的东芝在这项技术上处于领先地位,而我国的台湾拓普光电在这项技术上也非常先进。通过ELA方法制备的多晶硅薄膜具有均匀的晶粒尺寸,较少的缺陷和高的电子迁移率。在各种低温薄膜状多晶硅中,其综合性能均位居第一。

但是,晶粒尺寸小并且对激光敏感,这不适用于大面积均匀薄膜的结晶单晶硅工艺,并且成本高且维护复杂。金属诱导横向结晶法(MILC)是对金属诱导结晶法(MIC)的改进。最初,人们将某些金属(例如Al,Cu,Au,Ag,Ni等)直接沉积在非晶硅(a-Si)膜的表面或将离子注入其中,并发现它可以减少晶体转化硅膜。温度,这是MIC的普遍信念。金属扩散到a-Si膜中后,它会减弱Si键之间的键能,加速晶体Si核的形成和生长,并使金属能够诱导非晶硅膜的结晶。此外,在MIC中形成的金属硅化物(如SiNi,SiNi)类似于Si晶格常数,可以诱导表面上的Si晶粒“外延”生长以形成结晶的Si颗粒。金属硅化物颗粒显然已经成为结晶中心。然而,直接接触金属和膜的MIC方法带来了金属污染,并且尚未应用于薄膜晶体管TFT中。进一步的研究发现,在金属掩膜区域中形成的金属硅化物颗粒可以横向移动到未被金属覆盖的a-Si膜区域中,并且还可以诱导金属掩膜区域之外的非晶硅结晶,即,金属横向诱导结晶。 MILC MIC的高结晶速率进一步降低了金属离子对膜的污染,并且感应温度可以控制在500以下。此外,MILC多晶硅膜的表面光滑,具有长晶粒和连续晶界的特性

与激光结晶相比,MilC的成本更低,而与固相结晶膜相比,MilC的质量更高,这具有明显的优势。 Sharp是率先将这项技术产业化的技术[12-14]单晶硅工艺,但是MILC方法也有很多缺点:结晶速度慢,热处理时间长(超过十小时),并且结晶速度会随着温度的升高而增加。热处理时间。等等。 MILC膜的结晶时间,微观结构和晶粒尺寸与预制备的a-Si的沉积温度,金属层的厚度和基板的涂层状态无关,但在很大程度上取决于选择的金属类型和退火温度。化学气相沉积(CVD)包括等离子体化学气相沉积,热丝化学气相沉积,催化化学气相沉积和感应耦合等离子体化学气相沉积。用于等离子体化学气相沉积法以制备硅薄膜的原料气体通常是硅烷(SiH SiH等)。这些基团在气流的作用下被传送到衬底的表面并被吸附,然后这些基团在基团之间反应以形成Si薄膜。活性基团的浓度和高化学活性是提高膜沉积速率和膜质量的必要条件。这只能通过增加等离子体密度,增加反应压力和增加基板温度来实现。其中,感应耦合等离子体(ICP)是近年来的研究热点。电感耦合等离子体(ICP)优于传统的电容耦合等离子体(CCP),后者可以在低压和高成膜速率下产生大面积均匀的高密度等离子体[15-18] ICP产生等离子体的原理是:交流射频电流的通过激发了变化的磁场。根据电磁感应,磁场将激发旋转电场,并且在感应电场的作用下,体内的带电粒子(主要是电子,不断变化的射频场可以认为是近似静态的),从而产生旋转运动。

由于这种运动方式增加了带电粒子和中性气体分子的碰撞几率,因此可以产生密度高于CCP(> 10 11 cm -3)的等离子体。目前,采用ICP-CVD法制备低温多晶硅膜,研究的国家主要是韩国,日本,俄罗斯等,但是由于技术原因,大多数行业需要与激光结晶等工艺相结合,ICP-CVD直接沉积低温多晶硅值得一提的是,ICP-CVD由于静电耦合效应高,难以控制等离子体的均匀性,因此在薄膜制备中的应用进展缓慢,相关报道还很少。近年来,由于硅材料的高价位,薄膜太阳能电池已被提上议事日程,尽管硅材料的效率和衰减都很高。薄膜太阳能电池需要改进,可以使其变得灵活,以促进与建筑物的集成生产和设计。它具有不可替代的优势。但是,尽管薄膜多晶硅中使用的硅量很少,但考虑到前端气体生产成本,最终电池成本可能不会像预期的那样低。 4. 1. 2单晶硅[19-26]的生产原理单晶硅的生产方法通常是先制造多晶硅或非晶硅,然后使用切克劳斯基法或悬浮区熔化法生长棒状单晶硅从熔体中析出。单晶硅棒是生产单晶硅晶片的原材料。随着国内外市场对单晶硅晶片需求的快速增长,对单晶硅棒的市场需求也显示出英寸,8英寸,12英寸(300毫米)和18英寸(450毫米)的快速增长。等。

晶片的直径越大,可雕刻的集成电路越多,芯片的成本越低。然而,大尺寸晶片对材料和技术有更高的要求。根据不同的晶体生长方法,将单晶硅分为直拉法(CZ),区域熔化法(FZ)和外延法。直拉法和区域熔化法生长单晶硅棒,外延法生长单晶硅薄膜。通过切克劳斯基方法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路,二极管,外延晶片衬底和太阳能电池。目前,晶体直径可以控制在Φ3〜8英寸以内。区域熔化单晶主要用于高压和大功率可控整流器领域,广泛用于大功率输变电,机车,整流,变频,机电一体化,节能灯,电视等和其他产品。目前,晶体直径可以控制在Φ3〜6英寸以内。外延晶片主要用于集成电路领域。由于成本和性能原因,切克劳斯基(CZ)单晶硅材料是使用最广泛的材料。 IC工业中使用的材料主要是CZ抛光晶片和外延晶片。由于成本较低,存储电路通常使用CZ抛光晶片。逻辑电路通常使用昂贵的外延晶片,因为它们在IC制造中具有更好的适用性华体会体育 ,并且具有消除闩锁的能力。 4. 2将晶体硅的生产工艺更改为西凉门子工艺流程图,如下所示:注:B1-预分离设备; B2——蒸馏设备; B3-吸收塔; B4—闪蒸罐; B5—带隔板精馏塔; B6-HCl和少量SiHCl的混合物; 3-HCl,SiHCl和少量HCl的混合物; 6-高纯HCl; 7高纯度SiHCl。锌还原工艺流程图如下:硅烷法工艺图如下:10常规冶金法工艺流程图如下:CP法工艺流程图如下:11通过准分子激光结晶制备LTPS的方法如下:电感耦合等离子体放电放置的示意图如下:ICP-CVD薄膜沉积设备的示意图如下:4. 3晶体硅生产的主要设备。多晶硅锭炉是太阳能光伏产业中最重要的设备之一。

它使用通过化学方法获得的高纯度硅将其熔化并调整为适合太阳能电池的化学成分。使用定向晶体生长和固化技术将溶液制成硅锭。这里是多晶硅铸锭炉的简要介绍[27]多晶硅铸件。铸锭炉中使用的生长方法主要是热交换法和布雷曼法的结合。在这种类型的结晶炉中,在加热过程中,绝热层和底部绝热层是紧密封闭的,以确保内部热量不会在加热过程中泄漏出去,从而确保了加热的有效性和加热的均匀性。 The hardware control composition of the polycrystalline silicon ingot furnace is as follows: 12 The hardware control composition of the polycrystalline silicon ingot furnace is as follows: 13 The main reaction device of the chemical vapor deposition method: CP method vacuum melting equipment is as follows: Conclusion Comprehensive considerations: the simplest and the most practical at present The method is to improve the Siemens method, which saves energy and effectively prevents pollution. Although there may be some improvements, the equipment technical conditions are relatively mature and easy to practice industrialization; and the inductively coupled plasma chemical vapor deposition method has the most development potential. This method can produce large-area uniform high-density plasma at a lower pressure, and the film deposition rate is high. However, due to technical reasons, it is mostly combined with laser crystallization and other processes. ICP-CVD directly deposits low-temperature polysilicon Is only realized in the laboratory. References: Monocrystalline silicon, Baidu Encyclopedia.14 Process route for purification of solar-grade polysilicon by CP method[J].New Materials Industry,2008(10):27-31. Ding Lei, etc. LDD process parameters vs. polysilicon film The influence of transistor KINK effect[J].Liquid Crystal and Display,2008,23(2):173-177 Thermodynamic analysis of electronic grade polysilicon production process[J].The Chinese Journal of Process Engineering,2007,7(3):522- 525. Improved separation process in the production of polysilicon by the improved Siemens method[J].Chemical industry and low temperature process PECVD method for the preparation of polysilicon films[D].2006(Zhengzhou University). Research on low pressure chemical vapor deposition of polysilicon films[J] ].New Process and New Technology,2006(11):34-36.[10] Liu Xiaowei, Huo Mingxue, Chen Weiping, et al. Theoretical Research on the Piezoresistive Coefficient of Polycrystalline Silicon Film[J] .Chinese Journal of Semiconduc tors,2004, 25(3) 292-296.[11] Zhang Haixia, Ma Bing, et al. A process for the production of polysilicon by zinc reduction[P]. China: 200610134108.5, 2006-10-31. [12] Research on the preparation process of low-temperature polysilicon film [J]. Vacuum, 2008, 45(1): 41-44. [13] LPCVD growth structure layer polysilicon and polysilicon doped process [J]. Functional materials and Chinese Journal of Devices, 2008, 14(2):372-375. [14] Gao Wenxiu. P-type solar cell grade polysilicon preparation process[P]. China: 200610017755.8, 2006-5-8. [15] The effect of the intermediate layer on the quality of polysilicon in the polysilicon deposition process[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2008, 28(5).[16] Research on PECVD silicon nitride passivation process for polysilicon solar cells[J]. Electronics Industry Special equipment, 2008,10(165):46-48. [17] Research on the process of preparing solar-grade polysilicon by metallurgical method[D].2007(Dalian University of Technology).[18] Wan Guanliang, etc. One A kind of quartz boat to reduce the edge of polycrystalline silicon growth process[P].China:200510132576.4,2005-12-26. [19] Using orthogonal experiment to optimize the surface texturing process of monocrystal line silicon solar cells[J ].Materials Research and Application,2008,2(4):441-446 [20] Preparation of ultra-long single crystal silicon nanowires by chemical vapor deposition method[J].Journal of Vacuum Science and Technology,2006,26(3):207-209. [21] Su Xu, Chang Yanlong, Ma Chuanli, Wang Chunming. Preparation of noble metal grain layer on the surface of single crystal silicon[J]. Acta Chimica Sinica, 20 08(66):1215-1220. [22] Chen Meiyuan. Temperature and light intensity characteristics of monocrystalline silicon solar cells[J]. Materials Research and Application, 2008, 2(4):498-502. [23] Fabrication of monocrystalline silicon solar cells by rapid thermal processing[J]. Journal of Materials and Thermal Treatment, 2006,27(6):10-14. [24] Nano-silicon/monocrystalline silicon heterojunction MOSFETs /Research on Magnetic Multifunctional Sensors[D].2008(Heilongjiang University). [25]. Current status and development of silicon single crystal growth equipment in China[J]. Special Equipment for Electronics Industry, 2007(146):5-8. [26] Feng Quanlin, et al. A heat treatment process for monocrystalline silicon polished wafers [P]. China: 200410088609.5, 2004-11-5. [27] Polycrystalline silicon ingot furnace production process control technology and equipment composition [J]. Electronic Process Technology, 2008,28(5):291-293 80

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